恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60 V和100 V新器件

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)2010年2月5日宣布推出全新60V和100V场效应晶体管,扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装,支持60V和100V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性,为客户提供众多实用价值。
LFPAK是一种真正意义上的功率封装,通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的Power-SO8封装形式,在极端恶劣的工作条件下仍具有出色的耐受性和可靠性。
 
产品主要特点:
·         3.6mΩ(典型值),60V,Power-SO8封装(PSMN5R5-60YS)
·         10.0mΩ(典型值),100V,Power-SO8封装(PSMN012-100YS)
·         全球首款电阻小于1mΩ,25V,Power SO8封装MOSFET开关型应用器件
·         Power-SO8器件最高工作温度:175°C
·         符合汽车电子器件AEC-Q101标准的Power-SO8封装
·         LFPAK封装最大额定电流:ID(MAX)=100A
·         支持目视检测设备检测(很多其他Power-SO8产品需要X光检测)
·         突波耐受
·         符合RoHS规定,无卤封装
 
除新型Power SO-8封装产品,恩智浦还推出了符合TO220(SOT78)业界标准的60V和100V器件,在原有30V、40V和80V产品基础进一步扩大了Trench 6 MOSFET产品线。新产品系列在各种应用场景下都表现出优异的性能。Trench 6硅技术结合TO220封装在提高工作效率,降低开关损耗,改善电流容量,增加功率密度等方面起到显著的作用,这些对于目前的高性能电源管理应用具有重要意义。
 
产品主要特点:
·         2.4mΩ(典型值),60V,TO220封装(PSMN3R0-60PS)
·         4.3mΩ(典型值),100V,TO220封装(PSMN5R6-100PS)
·         最高额定工作温度:175°C
·         最大额定电流:ID(MAX)=100 A
·         突波耐受
·         符合RoHS规定,无卤封装
·         低热阻
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